机译:并五苯堆积层的界面诱导结构特性对阈值电压的影响:并五苯单层晶体管
Hongik Univ, Dept Mat Sci & Engn, 72-1 Sangsu Dong, Seoul 04066, South Korea;
Threshold voltage; Pentacene; Nexafs; Fet; Accumulation layer;
机译:并五苯/ CuPc夹心结构的并五苯薄膜晶体管的阈值电压显着降低
机译:自组装单层结构顺序,表面均质性和表面能对并五苯形态和薄膜晶体管器件性能的影响
机译:并五苯场效应晶体管中的可调阈值电压和平带电压
机译:用于低压驱动并五苯薄膜晶体管的自组装单层栅介质
机译:并五苯在有机-无机界面的结构和电子性质。
机译:并五苯形态和薄膜晶体管的器件性能的自组装单层结构顺序表面均匀性和表面能的影响
机译:使用并五苯/ Cupc夹层结构的并五苯基薄膜晶体管的阈值电压显着降低