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机译:包括在InP衬底上生长的MnAs纳米团簇的InMnAs薄膜的结构和铁磁性能
Nagaoka Univ Technol, Dept Elect Engn, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 9402188, Japan;
Nagaoka Univ Technol, Dept Elect Engn, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 9402188, Japan;
Aoyama Gakuin Univ, Coll Sci & Engn, Ctr Instrumental Anal, 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa 2520206, Japan;
Nagaoka Natl Coll Technol, Dept Elect & Elect Syst Engn, 888 Nishikatakai, Nagaoka, Niigata 9408532, Japan;
Nagaoka Univ Technol, Dept Elect Engn, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 9402188, Japan;
Molecular beam epitaxy; Arsenides; Magnetic materials;
机译:InP(001)和InGaAsP上生长的MnAs薄膜的分子束外延生长,磁性和结构性质
机译:XRD研究在InP(001)衬底上生长的Zn-Blende型MnAs薄膜
机译:直接在InP(001)衬底上生长的掺锌MnAs薄膜可能是自旋极化电流的来源
机译:Si 111衬底上生长的MnAs铁磁薄膜的线性和非线性磁光研究
机译:铁磁InMnAs薄膜及其合金的光学和磁光特性。
机译:有限尺寸对MnAs / GaAs(001)图案化微结构薄膜的结构和磁性的影响
机译:超薄SiO2薄膜的结构和电子传输性能,嵌入式金属纳米蛋白酶在Si上生长
机译:通过电子回旋共振等离子体氧化在(100)si衬底上生长的薄(<10nm)siO(sub 2)膜的结构和界面特性。