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机译:AlN膜厚度对深紫外光电器件的AlN /碳纳米管壳/核纳米结构的光致发光性能的影响
Univ Ibn Khaldoun, Lab Genie Phys, BP P 78, Tiaret 14000, Algeria;
INRS, 1650 Blvd Lionel Boulet, Varennes, PQ J3X 1P7, Canada;
Univ Nantes, CNRS, Inst Mat Jean Rouxel, UMR 6502, 2 Rue Houssiniere BP 32229, F-44322 Nantes 3, France;
King Saud Univ, Deanship Sci Res Adv Mfg Inst, POB 800, Riyadh 11421, Saudi Arabia;
Islamic Azad Univ, Dept Phys, Kermanshah Branch, Kermanshah, Iran;
Islamic Azad Univ, Young Researchers & Elite Club, Kermanshah Branch, Kermanshah, Iran;
Res & Technol Ctr Energy, Thermal Proc Lab, Tunis 2050, Tunisia;
INRS, 1650 Blvd Lionel Boulet, Varennes, PQ J3X 1P7, Canada;
IETR, Inst Elect & Telecommun, UMR CNRS 6164, Campus Beaulieu Bat 11D 263 Gen Leclerc, F-35042 Rennes, France;
Univ Nantes, CNRS, Inst Mat Jean Rouxel, UMR 6502, 2 Rue Houssiniere BP 32229, F-44322 Nantes 3, France;
Aluminum nitride; Carbon nanotubes; Reactive magnetron sputtering; Hybrid nanostructures; Photoluminescence;
机译:NbN / AlN纳米结构多层膜中AlN层厚度取决于相干外延生长,应力和硬度
机译:通过光刻的方法,在AlN纳米棒上进行深层紫外线AlGaN / AlN核心壳多量子孔
机译:用于深紫外发光二极管的退火溅射沉积AlN缓冲层上的高质量高透明AlN模板
机译:通过两步沉积和ALN-FBAR器件特性生长的ALN薄膜的性质
机译:纤锌矿型氮化铝(W-AlN)的电子和输运性质的计算,以及多壁碳纳米管(外径20-30纳米)-环氧树脂复合材料的微波吸收性能。
机译:通过无光刻法在AlN纳米棒上的深紫外AlGaN / AlN核壳多量子阱
机译:AlN膜厚度对深紫外光电器件的AlN /碳纳米管壳/核纳米结构的光致发光性能的影响
机译:基于alN / alGaN超晶格的光电器件的制备