机译:二次离子质谱(SIMS)的深度分辨率与薄层深度剖面中优先溅射的相关性
Max Planck Inst Intelligent Syst, Heisenbergstr 3, D-70569 Stuttgart, Germany;
Shantou Univ, Dept Phys, 243 Daxue Rd, Shantou 515063, Guangdong, Peoples R China;
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Preferential sputtering; Depth resolution; Atomic mixing length; Delta layer;
机译:使用Cs +离子溅射通过飞行时间二次离子质谱法(ToF-SIMS)获得的Ta / Si多层深度分布的定量重建
机译:不同能量O〜(2+)离子轰击飞行时间二次离子质谱深度剖析评估溅射诱导的Ni / Cu多层薄膜表面粗糙度
机译:δ层深度剖析中的深度分辨率和优先溅射
机译:通过图像深度轮廓二次离子质谱(SIMS)表征GaN膜中的衬底/膜界面
机译:气相色谱-质谱联用分析了三种不同热源对不同深度橡木桶壁深度的顺序加速溶剂萃取及其与模型提取酒的感官描述相关性的研究。
机译:使用改良的Orbitrap进行高分辨率天然质谱分析对完整单克隆抗体上的复合糖基化分布图和其他微异质性进行深入的定性和定量分析
机译:精确的氩聚类离子溅射产生:通过X射线光电子能谱和二次离子质谱法测量在实际深度分析中的溅射阈值的产量和效果
机译:薄层二次离子质谱图像深度剖面分析。