机译:氢反射耦合等离子体处理Ge_(0.938)Sn_(0.062)/ Ge / Si薄膜的光反射光谱研究
Yeungnam Univ, Dept Phys, Gyeongbuk 712749, South Korea;
Yeungnam Univ, Dept Phys, Gyeongbuk 712749, South Korea;
Kangwon Natl Univ, Dept Phys, Kangwon Do 200701, South Korea;
Air Force Inst Technol, Dept Engn Phys, Wright Patterson AFB, OH 45433 USA;
Arizona State Univ, Dept Chem & Biochem, Tempe, AZ 85287 USA;
Germanium tin; Strain; Photoreflectance;
机译:通过电感耦合的H_2等离子体处理增强了Ge_(1-x)Sn_x / Ge / Si(100)(x = 0.062)半导体的光电性能
机译:通过电感耦合H_2等离子体处理,增强GE_(1-X)SN_X / GE / GE / SI(x = 0.062)半导体的光学和电性能
机译:使用电感耦合等离子体源以低能量和高剂量率对多晶硅CMOS薄膜晶体管进行等离子注入氢化
机译:优化SI_(0.5)GE_(0.5)/ SI界面质量通过低能量氢等离子体清洗和正电子湮灭光谱研究
机译:使用感应耦合等离子光发射光谱法和感应耦合等离子质谱法生成的元素轮廓来区分纸张类型。
机译:六氟化硫气体和后退火处理对电感耦合等离子体刻蚀钛酸钡薄膜的影响
机译:使用光发射光谱和激光诊断确定电感耦合氢等离子体中的解离度
机译:电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICp-aEs)测定锆和钽薄膜