机译:Au / HfO_2 /(Pt,TiN)电容器的结构,光学和介电特性
Univ Gabes, LaPhyMNE, Gabes 6072, Tunisia;
Univ Gabes, LaPhyMNE, Gabes 6072, Tunisia;
Thermal Proc Lab CERT, Hammam Lif 2050, Tunisia;
Univ Tunis El Manar, Unite Rech Nanomat & Photon, Tunis 2092, Tunisia;
Univ Gabes, LaPhyMNE, Gabes 6072, Tunisia;
Electrical measurements; HfO2 films; Oxygen vacancies; Structural and optical properties;
机译:退火环境对带有Pt栅电极和HfO_2栅介质的Ge金属氧化物半导体电容器的结构和电性能的影响
机译:自组装双层Au纳米晶嵌入原子层沉积HfO_2介质中的金属氧化物-硅电容器的记忆效应
机译:AC和DC偏置对AU / HFO_2 / M(M = PT,TIN,W和ALCU)MIM电容器的电容 - 电压非线性的影响:底部电极材料的效果
机译:不同金属(AU,Pd和PT)栅极ALD HFO_2 MOS电容的噪声特征
机译:AU的大型三阶非线性光学敏感性:DFWM测量的介电复合膜
机译:光学介电损耗作为指定电子转型类型的新方法:XRD和UV-VIS作为基于PEO基纳米复合材料的结构和光学表征的非破坏性技术
机译:BA2Fevo6双钙钛矿陶瓷的结构特征和介质,磁性和光学性能