机译:相关的高频调制和时间分辨光致发光在薄膜光伏材料中的缺陷表征:在Cu(In,Ga)Se_2中的应用
EDF R&D, 30 Route Dept 128, F-91120 Palaiseau, France;
Inst Photovolta Ile de France, 30 Route Dept 128, F-91120 Palaiseau, France;
Inst Photovolta Ile de France, CNRS, IPVF, UMR 9006, 30 Route Dept 128, F-91120 Palaiseau, France;
Sorbonne Univ, Univ Paris Saclay, Univ Paris Sud, CNRS,GeePs UMR 8507,Cent Supelec, 11 Rue Joliot Curie, F-91192 Gif Sur Yvette, France;
Univ Nantes, CNRS, Inst Mat Jean Rouxel IMN, 2 Rue Houssiniere, F-44322 Nantes, France;
Modulated photoluminescence; Transient photoluminescence; Time resolved photoluminescence; Carrier traps; Copper indium gallium selenide;
机译:时间分辨光致发光表征Cu(In,Ga)Se_2薄膜
机译:Cu(ln,Ga)Se_2薄膜和太阳能电池中的光致发光和时间分辨光致发光
机译:光伏应用中钾长晶石Cu_2ZnSnS_4与黄铜矿Cu(In,Ga)Se_2薄膜的发光和本征点缺陷的比较研究
机译:偏光致发光法表征Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳能电池的缺陷表征
机译:用于光伏应用的薄膜ZnO和Cu(In,Ga)Se(2)的生长和表征。
机译:光伏应用中Cu2Zn1-xFexSnS4薄膜的生长与表征
机译:氧化锌作为光伏应用薄膜中缺陷主导的材料 - 缺陷水平的实验测定,成分的量化和能带图的构建