机译:化学镀铜过程中镍对氢产生,氢共沉积和膜应力的依赖性
Mt Allison Univ, Phys Dept, 67 York St, Sackville, NB E4L 1E6, Canada;
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Atotech Deutschland GmbH, Erasmusstr 20, D-10553 Berlin, Germany;
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Mt Allison Univ, Phys Dept, 67 York St, Sackville, NB E4L 1E6, Canada;
Electroless plating; Copper; Hydrogen content; Mixed potential; Voids; Stress;
机译:介电和铁电性质对不同热处理条件下氢化P(VDF-TrFE)薄膜晶相结构的影响
机译:电泳和化学沉积法制备硼化镍涂层碳纳米管薄膜以进行电化学储氢
机译:基于镁镍合金薄膜的可切换反射镜加氢过程的原位光谱椭偏研究
机译:化学沉积铜膜中氢共沉积和纳米孔隙对镍的依赖性
机译:界面电化学和表面表征:氢封端的硅,在热解光刻胶膜上化学沉积的钯和铂,在铱上电沉积铜。
机译:豌豆(Pisum sativum L.)植物的镍可用性限制了豆科根瘤菌(Rhizobium leguminosarum bv)的氢化酶活性。通过影响氢化酶结构亚基的加工来改变蚕豆类杆菌。
机译:用于硼氢化物水解扩散限制氢的化学镀镍催化剂