机译:Ge(110)上的Pt和Au诱导的单向纳米线
Univ Tsukuba, Inst Appl Phys, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan;
Univ Tsukuba, Inst Appl Phys, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan|Natl Inst Mat Sci, 1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan;
Univ Tsukuba, Inst Appl Phys, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan;
Univ Tsukuba, Inst Appl Phys, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan|Japan Atom Energy Agcy, Inst Adv Res Ctr, 2-4 Shirakata, Tokai, Ibaraki, Japan;
Natl Inst Mat Sci, 1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan;
Ge(110); Nanowire; Scanning tunneling microscopy; Metastable atom deexcitation spectroscopy;
机译:通过更高的Au覆盖率稳定了Ge(001)上Au诱导的纳米线的原子构型
机译:通过更高的Au覆盖率稳定了Ge(001)上Au诱导的纳米线的原子构型
机译:GE(001)上Au诱导纳米线的表面电子状态(001)
机译:Si和Ge纳米线在110方向上电子特性的单轴应变比较研究
机译:低能电子显微镜和扫描隧道显微镜研究锗在锗(111)和锗(110)上的生长以及锗(111),锗(110)和锗(001)上的银的生长
机译:Si(110)表面单取向大长径比的MnSi〜1.7纳米线的自组装生长
机译:促进相干应变[110]取向的Ge-Si核壳纳米线的空穴迁移率
机译:用GeV质子照射后,靶向反应产物的au,pt和Th靶的放射化学分离。