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机译:应变层半导体中的局部结构确定
Material Measurement Laboratory, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD 20899, USA;
机译:荧光XAFS探测(Ge_4 / Si_4)_5单层应变层超晶格的局部结构
机译:ZNSE / GAAS应变层异质结构中变形势的测定
机译:应变半导体中的键长和弹性
机译:石墨烯-绝缘体-半导体(GIS)测试结构在半导体器件光电测定中的出色性能带图
机译:铝镓铟砷化物应变层多量子阱半导体光放大器的线性和非线性吸收动力学特性。
机译:原子应变法测定InAs / GaSb应变层超晶格中的原子空位
机译:应变层半导体中的粘合长度和弹性
机译:用塑性流动松弛亚稳半导体应变层结构