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摘要

Exposure tools and resists for 157nm lithography are still very much in the laboratory; 193nm lithography is making some progress in broad development, perhaps slightly behind its anticipated learning curve, but workhorse 248nm lithography continues to make somewhat remarkable progress. These conclusions were outlined by the three lead papers (listed below) and others presented at Arch Chemicals's Microlithography Symposium Interface 2000, held late last year.
机译:157nm光刻的曝光工具和抗蚀剂仍然在实验室中使用。 193nm光刻技术在广泛的发展中取得了一些进展,也许略微落后于预期的学习曲线,但是主力的248nm光刻技术仍继续取得显着进步。去年年底在Arch Chemicals的Microlithography Symposium Interface 2000上发表的三篇主要论文(下面列出)概述了这些结论。

著录项

  • 来源
    《Solid state technology》 |2001年第1期|p.4244|共2页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:37:08

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