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INTEGRATED IMAGING A KEY APPROACH TO OPTICAL LITHOGRAPHY AT 100NM+

机译:集成成像技术是100NM +光学光刻的关键方法

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摘要

The slow development of nonoptical next-generation lithography (NGL) techniques and the acceleration of the International Technology Roadmap for Semiconductors forces optical lithography to carry our industry farther into the realm of subwave-length-sized features. Over time, lithographers have developed a host of optical extension techniques. The earliest included shrinking exposure wavelength and increasing exposure system numerical aperture (NA).
机译:非光学下一代光刻(NGL)技术的缓慢发展以及《国际半导体技术路线图》的加速,迫使光学光刻技术将我们的产业带入了亚波长尺寸特征领域。随着时间的流逝,光刻师已经开发出许多光学扩展技术。最早的包括缩小曝光波长和增加曝光系统数值孔径(NA)。

著录项

  • 来源
    《Solid state technology》 |2001年第1期|p.808284|共3页
  • 作者

    John S. Petersen;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:37:08

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