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The search continues for high-k gate dielectrics

机译:寻找高k栅极电介质的过程仍在继续

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摘要

The 46th annual IEEE International Electron Devices Meeting provided the industry with the latest updates on a variety of technical advances in semiconductor processing, but high-k dielectric discussions drew particular attention during the recent San Francisco event, as the processing area is proving to be a significant challenge on the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS).
机译:第46届年度IEEE国际电子器件会议为业界提供了有关半导体处理中各种技术进步的最新更新,但是在最近的旧金山会议期间,高k介电质的讨论引起了特别关注,因为事实证明处理领域是国际半导体技术路线图(ITRS)面临重大挑战。

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  • 来源
    《Solid state technology》 |2001年第2期|p.464850|共3页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:37:07

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