机译:寻找高k栅极电介质的过程仍在继续
机译:通过对高K栅极电介质进行原子层蚀刻来改善金属栅极/高K电介质CMOSFET的特性
机译:考虑栅极电介质厚度缩放的InAs纳米线晶体管周围栅极的高K电介质的TCAD性能分析
机译:通过PLD获得的高k电介质氧化物作为MOS器件中栅极电介质的溶液
机译:高性能块状平面20nm替代栅极high-k金属栅极技术的内在电介质堆叠可靠性以及与28nm栅极首次高k金属栅极工艺的比较
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:使用氧化锆纳米线作为高k栅极电介质的高性能顶门石墨烯纳米晶体管
机译:非晶态氧化镧L薄膜替代高k材料:高k栅极电介质的物理和技术5