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A move to single-wafer cleaning: liming is the biggest challenge

机译:转向单晶圆清洗:撒石灰是最大的挑战

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摘要

One of the biggest trends in wafer cleaning is single-wafer wet cleans at the critical pre-gate level. Strictly speaking, PVA brushes (scrubbers) used in post-CMP cleans can be considered a single-wafer cleaning process, and some fabs use single-wafer etching for backside thinning and layer removal. But for critical cleans, single-wafer cleaning is new. At 180nm and smaller, traditional cleaning technologies can damage device structures, forcing a reduction in applied energy and/or time. Thus, smaller particles require higher energies to free them from the wafer surface. One solution is the application of megasonic technology.
机译:晶圆清洁的最大趋势之一是在关键的预浇口级别进行单晶圆湿法清洁。严格来说,CMP后清洗中使用的PVA刷子(洗涤器)可以被视为单晶片清洗工艺,而某些工厂使用单晶片蚀刻进行背面减薄和去除层。但是对于关键清洗,单晶圆清洗是新的。在180nm或更小的波长下,传统的清洁技术会损坏设备结构,从而迫使减少施加的能量和/或时间。因此,较小的颗粒需要较高的能量才能将其从晶片表面释放出来。一种解决方案是应用超音速技术。

著录项

  • 来源
    《Solid state technology》 |2001年第12期|p.2022|共2页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:37:04

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