机译:等离子体蚀刻速率:掩模透射率的影响
机译:开发用于最大掩模蚀刻的过程配方和具有垂直侧壁的最大蚀刻速率,用于深度,高度各向异性电感耦合等离子体(ICP)蚀刻熔融二氧化硅的蚀刻
机译:气体流量对双频CF_4 / C_4F_8 / Ar电容耦合等离子体中带有非晶碳掩模的低k sicoh膜蚀刻特性的影响
机译:硬掩模对双图案光刻中光刻-平版蚀刻工艺反射率的影响
机译:纳米粒子作为蚀刻掩模,通过诱导耦合的等离子体反应离子蚀刻器产生大面积GaAs纳米线
机译:在使用Langmuir探针和光发射光谱法的深反应离子刻蚀系统中,等离子体表征和刻蚀速率以及通孔侧壁角度相关。
机译:冷冻蚀刻样品的冲击冻结和液体喷射冻结过程中的样品冷却速率的理论分析。
机译:在基于SF6的等离子体中通过低温等离子体增强的原子层沉积法生长的氮化铝掩模层的等离子体蚀刻特性
机译:用于Gaas等离子蚀刻背面通孔的多功能掩模工艺