机译:SRTF的结果表明有望实现浅结离子注入退火
WaferMasters Inc., San Jose, California;
机译:通过将BF / sub 2 // sup + /注入到Si衬底上的Co薄膜中形成浅p / sup +/- n结中的结特性的反向退火
机译:离子注入和ms距离闪光灯退火对GaAs中浅结的形成和表征
机译:采用离子注入和MS系列闪光灯退火的GaAs中浅交界的形成与表征
机译:锗预非晶化注入,预退火RTA和后退火非熔融准分子激光(NLA)工艺的结合,在浅p〜+ / n结形成过程中硼的扩散行为
机译:使用等离子体浸没离子注入和外延二硅化钴作为掺杂源的超浅结制造。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:采用离子注入和MS系列闪光灯退火的GaAs中浅交界的形成与表征
机译:离子注入技术同时形成浅硅p-n结和浅硅化物 - 硅欧姆接触。