机译:大规模生产CVD低k电介质的实现
Advanced Micro Devices, AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, Germany;
机译:PECVD低k碳掺杂二氧化硅介电薄膜的温度加速介电击穿
机译:沉积方法对PECVD低k碳掺杂二氧化硅介电薄膜介电击穿强度的影响
机译:PECVD低k碳掺杂二氧化硅介电薄膜的厚度依赖性介电击穿:建模和实验
机译:将SOI衬底和低k电介质带入大批量微处理器生产
机译:用于高级互连的多孔低k电介质的机械可靠性:多孔低k电介质的不稳定性机理及其通过惰性等离子体引发的骨架结构再聚合的介导研究。
机译:用于微和纳米电子应用的低k介电薄膜的热稳定性的宽带介电光谱表征
机译:甲基硅烷型低k型低k CVD氧化物作为化合电介质的漏浊机制