首页> 外文期刊>Solid state technology >The effects of wet-etch parameters on wafer-thinning etchants
【24h】

The effects of wet-etch parameters on wafer-thinning etchants

机译:湿法刻蚀参数对减薄晶片刻蚀剂的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

Designed experiments determine the effects of wet-etch parameters on the performance of several different types of wafer-thinning etchants. Based on the use of a single-wafer spin-processor for 200mm wafers, the studies investigate the effects of temperature, chuck speed, flow rate, and dispense profile on etch rates, etch uniformity, and surface roughness during wafer-thinning process steps.
机译:设计的实验确定了湿法刻蚀参数对几种不同类型的晶圆稀化刻蚀剂性能的影响。基于对200mm晶片使用单晶片旋转处理器的研究,研究了温度,卡盘速度,流速和分配曲线对晶片变薄工艺步骤中蚀刻速率,蚀刻均匀性和表面粗糙度的影响。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号