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摘要

At its annual developer forum, Intel debuted working test chips built with 32nm process technology, saying it will start production at the next node sometime in 2009. The 32nm SRAMs house more than 1.9 billion transistors, utilizing high-k and metal gate technologies, the company claims.
机译:在其年度开发者论坛上,英特尔首次展示了采用32纳米工艺技术构建的可工作测试芯片,并表示将于2009年某个时候开始生产。32纳米SRAM容纳了超过19亿个晶体管,这些晶体管采用了高k和金属栅极技术,公司索赔。

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  • 来源
    《Solid state technology》 |2007年第11期|p.20|共1页
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  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:35:42

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