MEARS Technologies, Waltham, MA, United Stotes;
机译:具有使用纳米压印技术制造的周期性鳍状通道的非易失性多晶硅-薄膜晶体管-氧化硅-氮化物-氧化硅-硅存储器
机译:具有硅纳米晶体非易失性存储器的p沟道和n沟道无结全栅多晶硅纳米线的研究
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机译:使用应变硅,硅锗和锗通道的MOSFET通道工程
机译:闪光灯退火多晶硅的PMOS TFT工程源/通道/漏极区
机译:分立工程用于嵌入式硅控整流器的高压60V n沟道横向扩散MOSFET的瞬态传感和可靠性改善。
机译:硅锗(SiGe)衬底上带有应变硅(s-Si)沟道的短沟道双材料栅极(DMG)MOSFET阈值电压的分析模型