首页> 外文期刊>Solid state technology >Thin films for 3D: ALD for non-planar topographies
【24h】

Thin films for 3D: ALD for non-planar topographies

机译:3D薄膜:用于非平面形貌的ALD

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

Extreme and non-planar substrate topographies that provide challenges for conventional thin film deposition techniques are abundant. Such applications span the range of structures from DRAM trench cells and MEMS devices to coatings of esoteric materials such as aerogels, viruses, nanotubes, microlenses, piping, grains and particles, and even porous dental material. For these types of important and interesting applications, atomic layer deposition (ALD) provides an exceptional technology for overcoming such challenges in order to achieve superior film uniformity, step coverage, and film conformality.
机译:给常规薄膜沉积技术带来挑战的极端和非平面的衬底形貌非常丰富。这样的应用涵盖了从DRAM沟槽单元和MEMS器件到诸如气凝胶,病毒,纳米管,微透镜,管道,颗粒和颗粒乃至多孔牙科材料等深奥材料涂层的结构范围。对于这些类型的重要而有趣的应用,原子层沉积(ALD)提供了一种出色的技术来克服这些挑战,从而实现出色的薄膜均匀性,台阶覆盖率和薄膜保形性。

著录项

  • 来源
    《Solid state technology》 |2009年第6期|1214-17|共5页
  • 作者单位

    Cambridge NanoTech Inc., 68 Rogers St. Cambridge, MA USA;

    Cambridge NanoTech Inc., 68 Rogers St. Cambridge, MA USA;

    Cambridge NanoTech Inc., 68 Rogers St. Cambridge, MA USA;

    Cambridge NanoTech Inc., 68 Rogers St. Cambridge, MA USA;

    Cambridge NanoTech Inc., 68 Rogers St. Cambridge, MA USA;

    Cambridge NanoTech Inc., 68 Rogers St. Cambridge, MA USA;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:35:23

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号