首页> 外文期刊>Solid state technology >The Technomics Of 22nm
【24h】

The Technomics Of 22nm

机译:22nm的技术

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

What is the most viable path to enabling the design shrink to 22nm? Will a solution emerge that overcomes the technical and economic hurdles currently being anticipated in both manufacturing and design? EUV is still facing substantial technical and economic uncertainties, and multiple challenges must be overcome to enable 22nm production with 193nm wavelength immersion lithography systems. With little help available from scanner optics, the industry faces the high mask cost and scanner throughput penalties of double patterning. Restrictive design rules (RDRs) could help solve the litho problem, but RDRs constrain IP migration and place strict limitations on designers, which will extend design cycles, limit creativity, and ultimately impact design cost and time-to-market.
机译:使设计缩小到22nm的最可行途径是什么?是否会出现解决方案,以克服目前在制造和设计方面预期的技术和经济障碍? EUV仍面临着巨大的技术和经济不确定性,必须克服多个挑战,以实现采用193nm波长浸没式光刻系统的22nm生产。在扫描仪光学器件几乎没有帮助的情况下,该行业面临着较高的掩模成本和双重图案化对扫描仪吞吐量的不利影响。限制性设计规则(RDR)可以帮助解决光刻问题,但是RDR限制了IP迁移并对设计人员施加了严格的限制,这将延长设计周期,限制创造力,并最终影响设计成本和上市时间。

著录项

  • 来源
    《Solid state technology》 |2009年第2期|p.32|共1页
  • 作者

    Charlie Albertalli;

  • 作者单位

    Mentor Graphics Corp., Wilsonville, OR, USA;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:35:16

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号