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Is 3D packaging where it needs to be?

机译:3D包装是否在需要的地方?

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摘要

More than a hundred attendees gathered at a Suss MicroTec workshop at this year's SEMICON West ("3D Integration: Are we there yet?") to hear technical experts from around the globe to present updates on the status of 3D IC packaging. Eric Beyne of IMEC addressed the technical issues of carrier systems for 3D through-silicon via (TSV) thinning and backside processing, pointing out that right now silicon carriers are favored over glass because: (1) the glass must be CTE matched to silicon over a large temperature range, (2) the high cost of ground to tight TTV specification, and (3) a negative effect on plasma-based post-grinding backside processes due to its low thermal conductivity.
机译:一百多位与会者聚集在今年SEMICON West的Suss MicroTec研讨会上(“ 3D集成:我们到那里了吗?”),听取了来自世界各地的技术专家介绍3D IC封装状态的最新信息。 IMEC的Eric Beyne解决了用于3D硅通孔(TSV)减薄和背面处理的载体系统的技术问题,指出目前硅载体比玻璃更受青睐,因为:(1)玻璃必须与硅在CTE上匹配在较大的温度范围内,(2)严格的TTV规格需要打磨的成本很高,(3)由于导热系数低,对基于等离子体的后研磨背面工艺具有负面影响。

著录项

  • 来源
    《Solid state technology》 |2011年第8期|p.8|共1页
  • 作者

    Phil Garrou;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:35:11

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