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机译:利用离子注入工艺特性来简化22nm器件
Vorion Semiconductor Equipment Associates, Gloucester, MA USA;
机译:离子植入:32nm和22nm器件的新推动者
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机译:完全植入式中耳助听器的具有多种滤波器特性的信号处理模块的设计
机译:满足低于100nm器件的阱掺杂要求-VIISta 3000注入机的工艺性能特征
机译:氦离子注入硅器件的光电特性及应用
机译:机械循环支持协调员对左心室辅助装置目的地治疗的植入前决策过程的看法
机译:缺血性心力衰竭,心房颤动和心脏植入装置的患者P4731术临床特征
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模