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【24h】

ITRS 2010: What happened during this off-year?

机译:ITRS 2010:在这个淡季期间发生了什么?

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摘要

The year 2010 is an even-numbered year, so the update to the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) generally undergoes few changes, saving the major changes for odd-numbered years. Nevertheless, substantial changes have occurred in 2010, including boosts in the timelines for NAND flash and DRAM device rollouts, backup plans for lithography forced by EUV delay, impending device and interconnect structural changes, and progress in 3D packaging.
机译:2010年是偶数年,因此对《国际半导体技术路线图》(ITRS)的更新通常不做任何更改,而将奇数年的主要更改保存下来。尽管如此,2010年发生了重大变化,包括NAND闪存和DRAM设备推出时间表的增加,由于EUV延迟而导致的光刻备份计划,即将到来的设备和互连结构变化以及3D封装的进展。

著录项

  • 来源
    《Solid state technology》 |2011年第2期|p.7-8|共2页
  • 作者

    Laura Peters;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:35:06

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