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Advances in wafer underfill processing

机译:晶圆底部填充工艺的进步

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摘要

At ECTC 2012, Toray presented results of their study on suppressing wafer level underfill (WUF) material entrapment at copper pillar/pad joints. The NCF (non-conductive film) was laminated on the wafer and then the surface was planarized by the bit cutting technique. Chips were then bonded to Cu/Ni/ Au pads. When the top chip and lower chip are joined, the temp must be raised slightly (sticking process) to get the NCF to flow together. This holds the two chips in place.
机译:在ECTC 2012上,Toray展示了他们抑制在铜柱/焊盘连接处的晶圆水平底部填充(WUF)材料滞留的研究结果。将NCF(非导电膜)层压在晶片上,然后通过位切割技术将表面平坦化。然后将芯片结合到Cu / Ni / Au焊盘上。当顶部切屑和下部切屑连接在一起时,必须稍微提高温度(粘结过程),以使NCF一起流动。这将两个芯片固定在适当的位置。

著录项

  • 来源
    《Solid state technology》 |2012年第7期|p.12|共1页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:35:03

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