机译:去离子水产生的摩擦带电对晶体管栅极损坏的影响
Texas Instruments Inc, Dallas, TX USA;
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机译:摩擦电荷顶面石墨烯晶体管
机译:多晶硅干法刻蚀对0.5 / splμm/ m NMOS晶体管性能的影响:同时存在等离子体轰击破坏和等离子体充电破坏
机译:电荷陷阱层电导率控制对使用IGZO通道和ZnO电荷陷阱层的顶栅存储薄膜晶体管的器件性能的影响
机译:金属焊盘蚀刻型等离子体损伤在闪存器件中电荷泵送晶体管损伤的栅极氧化物可靠性降解研究
机译:通过干旱灌溉农业的联合使用,量化流域规模的地下水复原力和沉积物积聚对流域自管理表观地表水中地下水分离的影响
机译:矿井水的纳滤:进料pH和膜电荷对资源回收和排水的影响
机译:晶体管:界面微观结构对溶液加工共轭聚合物场效应晶体管电荷载流子的影响(ADV。Mater。11/2016)