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NIST creates toughness test for low-k films

机译:NIST对低k膜进行韧性测试

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摘要

The new technique, described in the Sept. 2008 issue of the Journal of Materials Research, modifies the probe with a sharper, more acute point, pressing on a dielectric film to generate cracks as small as 300nm, which are measured by electron microscopy. How the cracks form depends on indentation force, film thickness, film stress, and the elasticity of both the film and substrate underneath.
机译:这项新技术在《材料研究杂志》(Journal of Materials Research)的2008年9月号中进行了描述,它通过更尖锐,更尖锐的点修改探针,将其压在电介质膜上以产生小至300nm的裂纹,这些裂纹可以通过电子显微镜进行测量。裂纹的形成方式取决于压入力,膜厚,膜应力以及下面的膜和基底的弹性。

著录项

  • 来源
    《Solid State Technology》 |2009年第2期|p.11-12|共2页
  • 作者

    James Montgomery;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-17 13:43:30

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