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机译:阿萨福科斯

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摘要

Samsung has widened its lead on in the NAND flash market to 40% market share, vs. 28% for Toshiba and 13% for Hynix, says DRAMeXchange. Samsung and Hynix also are reportedly speeding development of 2Xnm DRAM modules to ramp production by year's end.
机译:DRAMeXchange表示,三星将其在NAND闪存市场上的领先优势扩大到40%,而东芝为28%,海力士为13%。据报道,三星和海力士也正在加快2Xnm DRAM模块的开发,以在年底前提高产量。

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  • 来源
    《Solid State Technology》 |2011年第8期|p.7-7|共1页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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  • 入库时间 2022-08-17 13:43:32

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