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【24h】

Improving line roughness by using EUV assist layers

机译:通过使用EUV辅助层来改善线条粗糙度

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摘要

We have been developing materials for EUV lithography for the past 5 years. Through this research, many unique challenges facing EUV patterning were identified as it moves closer to production. In particular, patterning features smaller than lOOnm poses an uncommon set of challenges compared to previous lithography generations. Sub-lOOnm technology enters the quantum realm in which most classical models break down.
机译:在过去的五年中,我们一直在开发EUV光刻材料。通过这项研究,确定了EUV图案接近生产时所面临的许多独特挑战。特别地,与前几代光刻相比,小于100nm的图案形成特征带来了一系列罕见的挑战。低于100纳米的技术进入了量子领域,大多数经典模型都在其中破裂。

著录项

  • 来源
    《Solid State Technology》 |2011年第8期|p.21-22|共2页
  • 作者

    Washburn; Carlton;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-17 13:43:32

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