机译:使用数值模拟对SiC GTO晶闸管性能进行深入分析
Power conditioning; Silicon carbide. Semiconductor switches;
机译:SiC-GTO晶闸管栅极和漂移区掺杂物极性的电热模拟分析
机译:通过提高载流子寿命来改善4H-SiC P-GTO晶闸管的阻隔性能
机译:2.6 kV 4H-SiC不对称GTO晶闸管的关断性能
机译:15 kV SiC SGTO晶闸管在极端脉冲过电流条件下的仿真和设计折衷分析
机译:模拟和比较3C-SiC,6H-SiC和4H-SiC纳米线的性能。
机译:金属氧化物半导体控制晶闸管触发的Microchip爆炸箔引发剂的点火性能
机译:6脉冲GTO可控硅转换器的仿真及谐波分析
机译:华盛顿第一卷最终报告中西雅图住宅太阳能加热和热泵系统性能数据的分析与模拟