机译:LP-CVD生长的GaN / SiC异质结
机译:通过有机金属化学气相沉积在蓝宝石和SiC衬底上生长的高电流增益渐变GaN / InGaN异质结双极晶体管
机译:GaN / SiC异质结双极型晶体管通过分子束外延在不取向的SiC(0001)上直接生长GaN
机译:通过HVPE生长比较在MOCVD-GaN / Al_2O_3和MOCVD-GaN / SiC样品上生长的GaN薄膜的应变
机译:在SiC上生长的GaN同质结和AlGaN / GaN异质结可见盲光电二极管
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:HVPE生长的GaN晶体中的应力对MOCVD-GaN / 6H-SiC衬底的影响
机译:LP-CVD法从三(二甲氨基)硼烷处理BN相并使用SiC / SiC微型复合材料表征