机译:GaAsN和InGaAsN薄膜以及量子阱结构的光学性质和缺陷
Institute of Rare Metals, B. Tolmachevsky 5, Moscow 109017, Russia;
机译:InGaAsN GaAs和InGaAsN GaAsN量子阱中的能带结构和光学增益
机译:MOVPE生长的GaAsN / GaAs和InGaAsN / GaAs T形量子线的光学研究
机译:InGaAsN / GaAsN / GaAs量子阱中光学跃迁的振荡器强度
机译:InGaAsN / GaAs和InGaAsN / GaAsN量子阱中的能带结构和光学增益
机译:将非线性光学性质与化学合成结合使用以了解自组装分子膜中的缺陷。
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:通过插入InAs单层提高GaAsN / GaAs量子阱结构的光学性能
机译:用于长波发射的InGaasN / Gaas量子阱和量子点结构的光学特性。