机译:薄膜SOI技术中的高性能RF LDMOSFET,具有阶跃漂移曲线
Emerging Technologies Research Centre, Hawthorn Building, De Montfort University, Leicester LE1 9BH, UK;
机译:适用于高性能薄膜SOI / MOSFET应用的新型两步SDB技术
机译:与非均匀土壤剖面中的浅埋多元结和跨度地铁站相关的惰性漂移比率相关
机译:使用绝缘体上薄膜SiGe技术的高性能应变SOI CMOS器件
机译:在键合SOI晶片上具有阶跃掺杂漂移区的高性能LDMOSFET的设计与制造
机译:用两步方法制备和表征高性能Cu 2zNSNS4薄膜太阳能电池
机译:高性能的界面润湿性控制可溶性绝缘聚合物薄膜的有机薄膜晶体管
机译:RF功率LDmOsFET在薄膜sOI和体硅上的实验比较