机译:双栅极MOSFET的显式电流模型
Department of Electrical Engineering, 209N WSEC, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, NE 68588-0511, USA;
dual-gate MOSFET; analytical model; modeling;
机译:具有有限掺杂体的全耗尽型环绕栅MOSFET(SGMOSFET)的显式连续电流电压(I-V)模型
机译:非掺杂对称双栅MOSFET漏极电流的严格解析解决方案
机译:对称双栅极MOSFET的显式量子漏极电流模型
机译:双栅极MOSFET的分析电流模型
机译:MOSFET电流源栅极驱动器,用于MHz开关频率DC-DC转换器的开关损耗建模和频率抖动控制。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:未掺杂双栅极MOSFET的解析和显式电流模型