机译:具有Ni / ITO p型触点的高功率氮化物基发光二极管
Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, National Cheng Kung University, No. 1, Ta Hseuh Road, Tainan 70101, Taiwan;
InGaN/GaN; multiquantum well; power light emitting diodes; ni/indium tin oxide; transparent; large area;
机译:具有Ni / Au,Ni / ITO和ITO p型触点的InGaN / GaN发光二极管
机译:低电阻和透明Ni-co固溶体/ P型Gan的欧姆接触,用于基于绿色Gan的发光二极管
机译:高性能GaN基发光二极管的In / ITO p型欧姆接触的电气特性
机译:IngaN / GaN多量子阱蓝色发光二极管,带透明Ni / ITO和Pt / ITO p型触点
机译:高性能III族氮化物发光二极管的透明氧化锌基触点的研究。
机译:网格化p型接触结构对深紫外倒装芯片发光二极管光提取效果的影响
机译:纳米尺寸的Ni-dot / Ag / Pt结构,可实现InGaN发光二极管中p型接触金属的高反射率