机译:室温下InP / InGaAs超晶格发射极共振隧穿双极晶体管的研究
Department of Physics, National Kaohsiung Normal University, 116, Ho-ping 1st Road, Kaohsiung 802, Taiwan, ROC;
InP/InGaAs; superlattice-emitter; resonant tunneling bipolar transistor; offset voltage;
机译:具有多个负微分电阻区域的InP / InGaAs超晶格发射极双极晶体管的研究
机译:InP / InGaAs异质结双极晶体管的谐振隧道效应和温度相关特性的观察
机译:AlGaAs / GaAs超晶格发射极共振隧穿双极晶体管(SE-RTBT)的研究
机译:InP-InGaAs超晶格发射极谐振隧穿双极晶体管中的多个负差分电阻的观察
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:石墨烯晶体管中的共振隧穿和负差分电导
机译:INP / INGAASSB / INGAAS双异质结双极晶体管中发射极尺寸效应的研究
机译:通过金属有机分子豆外延生长在Ge / p共注入Inp衬底上的Inp / InGaas异质结双极晶体管。