机译:通过分子束外延生长的GaN / GaAs / GaN结构的表征
Applied Semiconductor Physics, MINA, Chalmers University of Technology and Goeteborg University, S-412 96 Goeteborg, Sweden;
MBE; GaN/GaAs/GaN; stacking fault; transmission electron microscopy;
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:分子束外延生长立方GaN / GaAs异质结构的热性质
机译:氨分子束外延在100mm Si(111)上生长的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构中GaN缓冲漏电流的研究
机译:(001)GaAs上通过分子束外延生长的GaN-GaAs合金的微观结构表征
机译:分子束外延制备InAlN / GaN异质结构的性能。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:等离子体辅助分子束外延生长GaN微结构的表征