机译:通过分子束外延生长对GaAsN和GaInAsN / GaAs量子阱的{111}取向的兴趣
LAAS-CNRS, 7 Avenue du Colonel Roche, 31077 Toulouse Cedex 4, France;
molecular beam epitaxy; Ⅲ-Ⅴ semiconductors; photoluminescence; SIMS; point defects and clusters;
机译:铋表面活性剂对分子束外延生长的GaAsN和铍掺杂GaAsN和GaInAsN的影响
机译:在{111}衬底上生长的GaAsN和GaInAsN / GaAs量子阱:生长条件和光学性质
机译:固体源分子束外延生长具有GaAsN势垒的GaInNAs / GaAs量子点激光器的室温连续波操作
机译:固体源分子束外延生长自组装GaInNAs / GaAsN量子点激光器的特性
机译:通过分子束外延生长的GaAs / Gaassb(N)核心壳纳米线的带隙调谐
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:具有GaasN势垒的GaInNas / Gaas量子点激光器的室温连续波操作,固态分子束外延生长