机译:在纯氢等离子体p沟道多晶硅薄膜晶体管中氢化的稳定性
Department of Physics, Aristotle University of Thessaloniki, 54006 Thessaloniki, Greece;
机译:具有非常薄的ECR N / sub 2 / O-等离子栅氧化物的短沟道氢化N沟道多晶硅薄膜晶体管的稳定性得到改善
机译:氢化对p沟道多晶硅薄膜晶体管性能和稳定性的影响
机译:多晶硅薄膜晶体管的等离子增强化学气相沉积法沉积纯氢化非晶硅
机译:非氢化和氢化P沟道多晶硅薄膜晶体管的稳定性
机译:高性能氢化非晶硅薄膜晶体管结构
机译:不同金属覆盖层对P沟道SnO薄膜晶体管电性能和稳定性的影响
机译:P沟道低温多晶硅薄膜晶体管的局部电荷喷射区域建模