...
机译:可扩展的2位氧化硅-氮化物-氧化硅(SONOS)存储器,在合并的栅极下具有物理隔离的局部氮化物
School of Electrical Engineering, Seoul National University, #016, Kwanak P.O. Box 34, Seoul 151-742, Republic of Korea;
flash; 2-bit; SONOS; sidewall; ONO; endurance; charge distribution; retention;
机译:可扩展的2位氧化硅-氮化物-氧化硅(SONOS)存储器,在合并的栅极下具有物理隔离的局部氮化物
机译:反向侧壁隔离层和内部偏移氧化物工艺可在100 nm栅极长度下实现出色的2位氧化硅-氮化物-氧化硅存储
机译:氧化硅-氮化物-氧化硅-硅(SONOS)内存中的局部陷阱电荷的分布和影响
机译:具有90nm合并三重栅极的出色2位氮氧化硅(SONOS)存储器(TSM)
机译:多晶硅-氮氧化物-氧化硅(SONOS)非易失性半导体存储器件的设计,制造和表征。
机译:SONOS闪存中氮化物内电荷迁移抑制的研究
机译:具有调制隧穿氧化物的柱型氧化硅-氮化物-氧化硅-硅闪存单元
机译:用氮化siO(2)/ si(100)界面制备的sONOs非易失性存储器堆栈的循环耐久性;电子器件字母