机译:横向宽带隙半导体功率开关器件的理论极限估计
Toshiba Corporation, Semiconductor Comp. and R & D Center, I Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 2/2-8583, Japan;
power device; wide band-gap semiconductor; lateral FET; GaN; diamond;
机译:基于用单核电荷转移化合物功能化的宽带隙纳米晶体半导体的电致变色器件
机译:宽带隙透明半导体MgGa_2O_4的电子性质的理论和实验研究
机译:宽带间隙透明半导体电子特性的理论与实验研究Mgla2O4
机译:基于宽带隙半导体的电力电子设备和电路的当前和未来方向
机译:III /氮化物宽带隙半导体的微/纳米光子结构和器件。
机译:浓度对锑静压压力下单层半导体带间隙可调性的基准调查
机译:基于宽带隙纳米晶半导体的电致变色器件,用单核电荷转移化合物官能化