机译:大信号建模,包括n通道SiGe MODFET和MMIC应用的低频分散
Department of Electron Devices and Circuits, University of Vlm, 89069 Ulm, Germany;
strained-Si/SiGe MODFET; large-signal model; low-frequency dispersion; capacitance model; active FET mixer; yravelling-wave amplifier;
机译:基于n通道SiGe MODFET的32 GHz MMIC分布式放大器
机译:应变Si / SiGe N沟道MODFET变容级电容电压特性研究
机译:N通道Si / SiGe MODFET:快速热激活对DC性能的影响
机译:基于N通道SiGe MODFET的32 GHz和40 GHz带宽分布式放大器MMIC
机译:蛋白质溶液和组织中水质子的核磁宽松:使用低频分散的MRI中的机理和应用
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:具有改善的大信号质量和频率范围的SiGe MODFET模型