机译:绝缘体上应变的Si,SiGe和Ge:晶圆键合制造技术的回顾
Massachusetts Institute of Technology, Building 13 - 4150, 77 massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139, USA;
strained; silicon; insulator; SSOI; SGOI; GOI;
机译:通过Ge富集技术在晶圆上制造的绝缘MOSFET上应变SiGe的改进的1 / f噪声特性
机译:通过薄硅锗虚拟衬底的晶圆键合和层分割进行sSOI制造
机译:晶圆键合技术在SiO↓(2)结构上制备低缺陷密度3C-SiC
机译:通过键合和回蚀技术在绝缘体上制备应变Si / SiGe / Si异质结构
机译:溅射法制备CZTS太阳能电池循环弯曲过程中测量ITO薄膜电阻变化的实验技术使用板级跌落试验研究晶圆级芯片规模封装的可靠性。
机译:半导体晶圆键合技术在硅/石墨烯/硅双异质结构的制备中的应用
机译:硅片上的应变硅通过晶圆键合和弛豫siGe缓冲层的层转移