机译:绝缘体上硅衬底上硅纳米结构的图案依赖氧化的二维模拟
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atxugi, Kanagawa 243-0198, Japan;
pattern-dependent oxidation; silicon; silicon-on-insulator; single-electron transistors; simulation; oxidation-induced strain and stress;
机译:通过模式依赖氧化在绝缘体上硅结构上制造的太赫兹超快单电子晶体管
机译:在完全耗尽的绝缘体上硅衬底上设计的纳米级两比特/单元NAND氧化硅-氮化物-氧化硅硅器件
机译:通过12/25/5/40 V双极互补金属氧化物半导体双扩散金属氧化物半导体工艺制造450 V额定绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体工艺体硅基板
机译:绝缘体上硅衬底上硅纳米结构的氧化模拟
机译:通过二次谐波产生研究了绝缘体上硅和硅/二氧化硅/氧化镁异质结构中的电荷载流子动力学。
机译:在绝缘体上硅衬底上的纳米结构Si岛上外延生长的Ge点的X射线表征
机译:硅表面的氧化机理。硅纳米结构图案依赖性氧化观察。