机译:惰性气体添加剂在平面感应耦合BCl_3等离子体中InGaP干法刻蚀图案中的作用
School of Nano Engineering, Institute of Nano-Technology Applications, Inje University, Gimhae, Kyoung-Nam 621-749, Republic of Korea;
heterojunction bipolar transistors; high electron mobility transistors; etching; InGaP; inductively coupled plasma;
机译:平面电感耦合BCl_3等离子体中AlGaAs和InGaP干法刻蚀的比较
机译:在BCl_3,BCl_3 / Ar和BCl_3 / Ne中进行GaAs平面电感耦合等离子体刻蚀的比较
机译:Cl_2 / BCl_3感应耦合等离子体中Y_2O_3,SiO_2和Si_3N_4的干蚀机理
机译:在高密度平面感应耦合BCl / sub 3 /等离子体中干法腐蚀GaAs基半导体
机译:通过理论和实验比较了电感耦合和电容耦合在平面电感耦合等离子体中的作用。
机译:六氟化硫气体和后退火处理对电感耦合等离子体刻蚀钛酸钡薄膜的影响
机译:高密度平面电感耦合BCL3 / SF6PLASMA中的Algaas和Ingap半导体选择性蚀刻GaAs和InGap半导体的研究
机译:基于ICl和IBr的化学中的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分。 Inp,Insb,InGap和InGaas;等离子体化学和等离子体处理