机译:高性能AlInAs / GaInAsδ掺杂HEMT,带有负差分电阻开关,用于逻辑应用
Department of Physics, National Kaohsiung Normal University, 116 Ho-ping 1st Road, Kaohsiung, Taiwan, ROC;
negative differential resistance; AlInAs/GaInAs; high electron mobility transistor; tunneling; breakdown voltage; logic circuit;
机译:通过逻辑化学气相沉积法在硅衬底上对Lg =0.13-μm的变质AlInAs / GaInAs HEMT进行异质外延
机译:应变补偿GaInAs / AlInAs超晶格中毫米波负电导的掺杂依赖性
机译:一种用于多值逻辑应用的新颖InGaP / GaAs S形负差分电阻(NDR)开关
机译:MOCVD制备的AlInAs / GaInAs超晶格负差分电阻开关(SNDRS)
机译:具有低导通电阻的高压氮化镓HEMT,适用于开关应用。
机译:用于低功率应用的陡峭开关设备:负差分电容/电阻场效应晶体管
机译:电阻切换的非平衡特性和负值 Ga掺杂Cr2O3系统的微分电阻