机译:溅射ITO / p-GaN肖特基势垒光电二极管中的表面层损伤和响应度
Department of Electrical and Computer Engineering, University of British Columbia, 2356 Main Mall, Vancouver, Canada BC V6T 1Z4;
p-GaN; schottky barrier; photodiodes; minority carrier diffusion length;
机译:在硅自动掺杂的p-GaN / Si上具有肖特基势垒源极和漏极的常关型GaN n-MOSFET
机译:基于IrSi-Si的肖特基势垒光电二极管的光电性能
机译:基于ZnS单晶的肖特基势垒光电二极管的退化机理
机译:常压GaN N-MOSFET,硅衬底上的P-GaN上的肖特基屏障源和漏极
机译:ZBRK1 / KAP1复合物的调控转录模块及其信号网络在调控DNA损伤反应基因表达中的作用。
机译:具有嵌入式MOS电容器的高响应性石墨烯/硅光电二极管的I-V和C-V表征
机译:用于高速aIIIBV片上光学互连的Gaas p-i-n和肖特基势垒光电二极管的数值漂移 - 扩散模拟
机译:p-GaN中的等离子体损伤;电子材料学报