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机译:通过超低能离子束合成制备的硅纳米晶体,用于非易失性存储应用
CEMES-CNRS, 29 rue J. Marvig, BP 4347, 31055 Toulouse, Cedex 4, France;
Si nanocrystals; non-volatile memory; ion implantation;
机译:用于非易失性存储应用的超低能离子束合成在硅纳米晶体制造中的处理问题
机译:通过超低能离子束合成技术制造用于非易失性存储器的纳米晶体
机译:用于存储器应用的ALD Al_2O_3薄层中Ge纳米晶体的超低能离子束合成
机译:用于非易失性存储器应用的超低能量离子束合成2D纳米晶体的操纵
机译:非易失性存储器与易失性存储器的集成,用于嵌入式存储器体系结构和信号处理应用
机译:用于负电容器件和非易失性存储器应用的纳米晶体嵌入式绝缘体(NEI)铁电FET
机译:用于负电容装置的纳米晶嵌入式绝缘体(NEI)铁电FET和非易失性存储器应用
机译:用于非易失性存储器应用的srBi(sub 2)Ta(sub 2)O(sub 9)(sBT)薄膜的化学溶液沉积