机译:在He注入并退火的SiGe缓冲层上制造的N沟道MOSFET
Physics Department, Simon Fraser University, 8888 University Drive, Burnaby, BC, Canada V5A 1S6;
strained Si MOSFETs; SiGe buffer layers;
机译:在SiGe点上制造的N沟道MOSFET可提高应变迁移率
机译:通过离子注入技术在非常薄的Sige缓冲层上形成应变Si Nmosfet
机译:使用Hfo_2和硅界面钝化层的自对准N沟道Gaas金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfets):金属后退火优化
机译:使用替代Fin工艺在原位掺杂磷的SiGe应变松弛缓冲层上制造的应变锗量子阱pMOS FinFET
机译:低k材料作为CMOS中的层间电介质:沉积和处理对N沟道MOSFET特性的影响。
机译:GE N沟道MOSFET具有ZrO2电介质实现改进的移动性
机译:使用0.25μmCmOs工艺在siGe虚拟基板上制造压缩应变的埋入沟道$ si_ {0.7} $ Ge $ _ {0.3} $ p-mOsFET